AFGB40T65RQDN
AFGB40T65RQDN — электронный компонент onsemi, категория Одиночные IGBT. Характеристики: IGBT FIELD STOP 650V 68A TO-263. Закупки и разработка могут сверить марку и параметры и запр
Какие компоненты поставляются со склада?
В наличии у Шэньчжэнь Кластер Технология Ко. есть интегральные схемы (IC), резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и диоды. На странице модели можно посмотреть артикул, бренд и параметры, затем запросить цену, чтобы узнать количество и срок поставки. Наличие оригинальной продукции подтверждается на момент запроса.
Как запросить цену по артикулу?
Откройте страницу модели и сверьте бренд, корпус и электрические параметры с вашими требованиями, затем отправьте запрос. Укажите артикул, количество и желаемый срок поставки. Для нескольких позиций используйте подбор по BOM и перечислите каждую позицию один раз.
Поддерживается ли подбор по BOM?
Да. Пришлите артикулы, количество и бренды. Мы сверим интегральные схемы, резисторы, конденсаторы и катушки индуктивности с текущим наличием и сообщим, какое количество можно поставить и какие позиции нужно заказывать.
Характеристики продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 输入类型 | Standard |
| Поставщик Устройство Корпус | TO-263 (D2PAK) |
| Корпус | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Заряд затвора | 51 nC |
| Ток коллектора импульсный (Icm) | 160 A |
| Время обратного восстановления (trr) | 52 ns |
| Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) | 650 V |
| Ток коллектора (Ic) (макс.) | 68 A |
| IGBT Тип | Field Stop |
| Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic | 1.82V @ 15V, 40A |
| Мощность - Максимальная | 339.37 W |
| Энергия переключения | 470µJ (on), 420µJ (off) |
| Td (включено/выключено) @ 25°C | 21ns/77ns |
| Условия испытания | 400V, 20A, 3Ohm, 15V |