FF200R12KT3EHOSA1
Product Attributes
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
|---|---|
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Статус детали | Not For New Designs |
| Корпус | Module |
| IGBT Тип | - |
| Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) | 1200 V |
| 输入 | Standard |
| NTC Термистор | No |
| Ток отсечки коллектора (макс.) | 5 mA |
| Поставщик Устройство Корпус | Module |
| Конфигурация | 2 Independent |
| Входная емкость (Cies) при Vce | 14 nF @ 25 V |
| Мощность - Максимальная | 1050 W |
| Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 200A |