GH50H65DRB2-7AG

Номер детали:
GH50H65DRB2-7AG
Производитель:
STMicroelectronics
Other Part Numbers:
-
Описание:
IGBT
Datasheet:
PDF

Product Attributes

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Класс Automotive
Квалификация AEC-Q101
Корпус TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
输入类型 Standard
Ток коллектора импульсный (Icm) 200 A
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 650 V
IGBT Тип Trench Field Stop
Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 50A
Условия испытания 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Мощность - Максимальная 385 W
Ток коллектора (Ic) (макс.) 108 A
Поставщик Устройство Корпус H2PAK-7
Заряд затвора 152 nC
Энергия переключения 557µJ (off)
Td (включено/выключено) @ 25°C -/117ns
Время обратного восстановления (trr) 912 ns