GT40QR21(STA1,E,D

Номер детали:
GT40QR21(STA1,E,D
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Other Part Numbers:
-
Описание:
IGBT 1200V 40A TO-3P
Datasheet:
PDF

Product Attributes

Тип монтажа Through Hole
Статус детали Active
IGBT Тип -
Ток коллектора (Ic) (макс.) 40 A
输入类型 Standard
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1200 V
Корпус TO-3P-3, SC-65-3
Td (включено/выключено) @ 25°C -
Рабочая температура 175°C (TJ)
Мощность - Максимальная 230 W
Ток коллектора импульсный (Icm) 80 A
Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 40A
Поставщик Устройство Корпус TO-3P(N)
Время обратного восстановления (trr) 600 ns
Условия испытания 280V, 40A, 10Ohm, 20V
Энергия переключения -, 290µJ (off)