GT50N322A

Номер детали:
GT50N322A
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Other Part Numbers:
-
Описание:
IGBT 1000V 50A TO-3P
Datasheet:
PDF

Product Attributes

Тип монтажа Through Hole
Статус детали Active
Рабочая температура 150°C (TJ)
IGBT Тип -
输入类型 Standard
Ток коллектора (Ic) (макс.) 50 A
Условия испытания -
Корпус TO-3P-3, SC-65-3
Энергия переключения -
Td (включено/выключено) @ 25°C -
Ток коллектора импульсный (Icm) 120 A
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1000 V
Мощность - Максимальная 156 W
Поставщик Устройство Корпус TO-3P(N)
Время обратного восстановления (trr) 800 ns
Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 60A