HGT1S12N60A4DS
Product Attributes
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| IGBT Тип | - |
| Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) | 600 V |
| 输入类型 | Standard |
| Корпус | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Ток коллектора импульсный (Icm) | 96 A |
| Время обратного восстановления (trr) | 30 ns |
| Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 12A |
| Заряд затвора | 120 nC |
| Мощность - Максимальная | 167 W |
| Условия испытания | 390V, 12A, 10Ohm, 15V |
| Ток коллектора (Ic) (макс.) | 54 A |
| Энергия переключения | 55µJ (on), 50µJ (off) |
| Td (включено/выключено) @ 25°C | 17ns/96ns |
| Поставщик Устройство Корпус | TO-263AB |