HGT1S3N60A4DS9A

Номер детали:
HGT1S3N60A4DS9A
Производитель:
Fairchild Semiconductor
Other Part Numbers:
-
Описание:
IGBT 600V 17A TO-263
Datasheet:
PDF

Product Attributes

Статус детали Obsolete
Тип монтажа Surface Mount
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
IGBT Тип -
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 600 V
输入类型 Standard
Поставщик Устройство Корпус TO-263 (D2PAK)
Корпус TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Ток коллектора импульсный (Icm) 40 A
Ток коллектора (Ic) (макс.) 17 A
Мощность - Максимальная 70 W
Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 3A
Энергия переключения 37µJ (on), 25µJ (off)
Заряд затвора 21 nC
Td (включено/выключено) @ 25°C 6ns/73ns
Условия испытания 390V, 3A, 50Ohm, 15V
Время обратного восстановления (trr) 29 ns