HGTD3N60A4S

Номер детали:
HGTD3N60A4S
Производитель:
Fairchild Semiconductor
Other Part Numbers:
-
Описание:
IGBT 600V 17A TO-252
Datasheet:
PDF

Product Attributes

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
IGBT Тип -
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 600 V
输入类型 Standard
Корпус TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Ток коллектора импульсный (Icm) 40 A
Ток коллектора (Ic) (макс.) 17 A
Поставщик Устройство Корпус TO-252 (DPAK)
Заряд затвора 32 nC
Мощность - Максимальная 70 W
Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 3A
Td (включено/выключено) @ 25°C 6ns/73ns
Условия испытания 390V, 3A, 50Ohm, 15V