HGTD3N60C3S9A

Номер детали:
HGTD3N60C3S9A
Производитель:
Fairchild Semiconductor
Other Part Numbers:
-
Описание:
IGBT 600V 6A TO-252
Datasheet:
PDF

Product Attributes

Статус детали Obsolete
Тип монтажа Surface Mount
IGBT Тип -
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 600 V
输入类型 Standard
Корпус TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Ток коллектора (Ic) (макс.) 6 A
Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Td (включено/выключено) @ 25°C -
Поставщик Устройство Корпус TO-252 (DPAK)
Ток коллектора импульсный (Icm) 24 A
Мощность - Максимальная 33 W
Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 3A
Энергия переключения 85µJ (on), 245µJ (off)
Заряд затвора 10.8 nC
Условия испытания 480V, 3A, 82Ohm, 15V