MIP50R12E2ATN-BP
Product Attributes
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Корпус | Module |
| IGBT Тип | - |
| Ток коллектора (Ic) (макс.) | 50 A |
| Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) | 1200 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Ток отсечки коллектора (макс.) | 1 mA |
| Конфигурация | Three Phase Inverter |
| Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 50A |
| 输入 | Three Phase Bridge Rectifier |
| NTC Термистор | Yes |
| Мощность - Максимальная | 288 W |
| Входная емкость (Cies) при Vce | 2.6 nF @ 25 V |
| Поставщик Устройство Корпус | E2A |