MIUZ100R12GJTL-BP
Product Attributes
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Поставщик Устройство Корпус | - |
| Конфигурация | Single |
| Корпус | Module |
| IGBT Тип | - |
| Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) | 1200 V |
| Ток отсечки коллектора (макс.) | 1 mA |
| 输入 | Standard |
| NTC Термистор | No |
| Ток коллектора (Ic) (макс.) | 100 A |
| Рабочая температура | 175°C (TJ) |
| Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic | 2.25V @ 15V, 100A |
| Мощность - Максимальная | 535 W |
| Входная емкость (Cies) при Vce | 5800 pF @ 25 V |