RGT50NS65DGC9

Номер детали:
RGT50NS65DGC9
Производитель:
ROHM Semiconductor
Other Part Numbers:
-
Описание:
IGBT TRENCH FS 650V 48A TO-262
Datasheet:
-

Product Attributes

Тип монтажа Through Hole
Статус детали Active
输入类型 Standard
Ток коллектора (Ic) (макс.) 48 A
Энергия переключения -
Корпус TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Поставщик Устройство Корпус TO-262
Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 650 V
Время обратного восстановления (trr) 58 ns
Заряд затвора 49 nC
Ток коллектора импульсный (Icm) 75 A
IGBT Тип Trench Field Stop
Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 25A
Условия испытания 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Мощность - Максимальная 194 W
Td (включено/выключено) @ 25°C 27ns/88ns