RGT8NS65DGC9

Номер детали:
RGT8NS65DGC9
Производитель:
ROHM Semiconductor
Other Part Numbers:
-
Описание:
IGBT TRENCH FS 650V 8A TO-262
Datasheet:
-

Product Attributes

Тип монтажа Through Hole
Статус детали Active
输入类型 Standard
Энергия переключения -
Ток коллектора (Ic) (макс.) 8 A
Время обратного восстановления (trr) 40 ns
Корпус TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Поставщик Устройство Корпус TO-262
Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
Мощность - Максимальная 65 W
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 650 V
IGBT Тип Trench Field Stop
Ток коллектора импульсный (Icm) 12 A
Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 4A
Заряд затвора 13.5 nC
Td (включено/выключено) @ 25°C 17ns/69ns
Условия испытания 400V, 4A, 50Ohm, 15V