STGB50H65FB2

STGB50H65FB2 — электронный компонент STMicroelectronics, категория Одиночные IGBT. Характеристики: IGBT TRENCH FS 650V 86A TO-263. Закупки и разработка могут сверить марку и параме

Какие компоненты поставляются со склада?

В наличии у Шэньчжэнь Кластер Технология Ко. есть интегральные схемы (IC), резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и диоды. На странице модели можно посмотреть артикул, бренд и параметры, затем запросить цену, чтобы узнать количество и срок поставки. Наличие оригинальной продукции подтверждается на момент запроса.

Как запросить цену по артикулу?

Откройте страницу модели и сверьте бренд, корпус и электрические параметры с вашими требованиями, затем отправьте запрос. Укажите артикул, количество и желаемый срок поставки. Для нескольких позиций используйте подбор по BOM и перечислите каждую позицию один раз.

Поддерживается ли подбор по BOM?

Да. Пришлите артикулы, количество и бренды. Мы сверим интегральные схемы, резисторы, конденсаторы и катушки индуктивности с текущим наличием и сообщим, какое количество можно поставить и какие позиции нужно заказывать.

Номер детали:
STGB50H65FB2
Производитель:
STMicroelectronics
Другие номера деталей:
-
Описание:
IGBT TRENCH FS 650V 86A TO-263
Спецификация:
-

Характеристики продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
输入类型 Standard
Поставщик Устройство Корпус TO-263 (D2PAK)
Корпус TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Ток коллектора импульсный (Icm) 150 A
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 650 V
IGBT Тип Trench Field Stop
Мощность - Максимальная 272 W
Ток коллектора (Ic) (макс.) 86 A
Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 50A
Условия испытания 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Заряд затвора 151 nC
Энергия переключения 910µJ (on), 580µJ (off)
Td (включено/выключено) @ 25°C 28ns/115ns