STGSB200M65DF2AG

STGSB200M65DF2AG — электронный компонент STMicroelectronics, категория Одиночные IGBT. Характеристики: IGBT TRENCH FS 650V 216A 9ACEPAK. Закупки и разработка могут сверить марку и

Какие компоненты поставляются со склада?

В наличии у Шэньчжэнь Кластер Технология Ко. есть интегральные схемы (IC), резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и диоды. На странице модели можно посмотреть артикул, бренд и параметры, затем запросить цену, чтобы узнать количество и срок поставки. Наличие оригинальной продукции подтверждается на момент запроса.

Как запросить цену по артикулу?

Откройте страницу модели и сверьте бренд, корпус и электрические параметры с вашими требованиями, затем отправьте запрос. Укажите артикул, количество и желаемый срок поставки. Для нескольких позиций используйте подбор по BOM и перечислите каждую позицию один раз.

Поддерживается ли подбор по BOM?

Да. Пришлите артикулы, количество и бренды. Мы сверим интегральные схемы, резисторы, конденсаторы и катушки индуктивности с текущим наличием и сообщим, какое количество можно поставить и какие позиции нужно заказывать.

Номер детали:
STGSB200M65DF2AG
Производитель:
STMicroelectronics
Другие номера деталей:
-
Описание:
IGBT TRENCH FS 650V 216A 9ACEPAK
Спецификация:
PDF

Характеристики продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Класс Automotive
Квалификация AEC-Q101
输入类型 Standard
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 650 V
IGBT Тип Trench Field Stop
Ток коллектора импульсный (Icm) 700 A
Мощность - Максимальная 714 W
Корпус 9-PowerSMD
Поставщик Устройство Корпус 9-ACEPACK SMIT
Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 200A
Ток коллектора (Ic) (макс.) 216 A
Энергия переключения 3.82mJ (on), 6.97mJ (off)
Заряд затвора 554 nC
Td (включено/выключено) @ 25°C 122ns/250ns
Условия испытания 400V, 200A, 4.7Ohm, 15V
Время обратного восстановления (trr) 174.5 ns