VS-GB200TH120N
Product Attributes
| Статус детали | Obsolete |
|---|---|
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
| IGBT Тип | - |
| Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) | 1200 V |
| Конфигурация | Half Bridge |
| 输入 | Standard |
| NTC Термистор | No |
| Ток отсечки коллектора (макс.) | 5 mA |
| Мощность - Максимальная | 1136 W |
| Ток коллектора (Ic) (макс.) | 360 A |
| Корпус | Double INT-A-PAK (3 + 4) |
| Поставщик Устройство Корпус | Double INT-A-PAK |
| Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic | 2.35V @ 15V, 200A |
| Входная емкость (Cies) при Vce | 14.9 nF @ 25 V |