GT40WR21,Q

零件编号
GT40WR21,Q
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
其它零件编号
描述 IGBT 1350V 40A TO-3P
规格书 Datasheet

产品属性

安装类型 Through Hole
零件状态 Active
IGBT类型 -
集电极电流(Ic)(最大值) 40 A
输入类型 Standard
测试条件 -
封装 / 外壳 TO-3P-3, SC-65-3
开关能量 -
导通/关断时间 (Td) @ 25°C -
工作温度 175°C (TJ)
集电极脉冲电流 (Icm) 80 A
供应商器件封装 TO-3P(N)
最大功率 375 W
电压 - 集电极-发射极击穿电压(最大值) 1350 V
Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic 5.9V @ 15V, 40A

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