RGT30NL65DGTL

零件编号
RGT30NL65DGTL
制造商 ROHM Semiconductor
其它零件编号
描述 IGBT TRENCH FS 650V 30A LPDS
规格书

产品属性

零件状态 Active
安装类型 Surface Mount
反向恢复时间 55 ns
输入类型 Standard
封装 / 外壳 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
开关能量 -
集电极电流(Ic)(最大值) 30 A
工作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
栅极电荷 32 nC
电压 - 集电极-发射极击穿电压(最大值) 650 V
集电极脉冲电流 (Icm) 45 A
IGBT类型 Trench Field Stop
Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 15A
测试条件 400V, 15A, 10Ohm, 15V
供应商器件封装 LPDS
导通/关断时间 (Td) @ 25°C 18ns/64ns
最大功率 133 W

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