RGT50TM65DGC9

零件编号
RGT50TM65DGC9
制造商 ROHM Semiconductor
其它零件编号
描述 IGBT TRENCH FS 650V 21A TO220NFM
规格书

产品属性

安装类型 Through Hole
零件状态 Active
输入类型 Standard
封装 / 外壳 TO-220-3 Full Pack
开关能量 -
工作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
集电极电流(Ic)(最大值) 21 A
电压 - 集电极-发射极击穿电压(最大值) 650 V
反向恢复时间 58 ns
栅极电荷 49 nC
集电极脉冲电流 (Icm) 75 A
IGBT类型 Trench Field Stop
Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 25A
供应商器件封装 TO-220NFM
最大功率 47 W
测试条件 400V, 25A, 10Ohm, 15V
导通/关断时间 (Td) @ 25°C 27ns/88ns

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