STGD4M65DF2

零件编号
STGD4M65DF2
制造商 STMicroelectronics
其它零件编号
描述 IGBT TRENCH FS 650V 8A DPAK
规格书 Datasheet

产品属性

零件状态 Active
安装类型 Surface Mount
工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
输入类型 Standard
供应商器件封装 DPAK
封装 / 外壳 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
集电极电流(Ic)(最大值) 8 A
最大功率 68 W
电压 - 集电极-发射极击穿电压(最大值) 650 V
IGBT类型 Trench Field Stop
集电极脉冲电流 (Icm) 16 A
Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 4A
测试条件 400V, 4A, 47Ohm, 15V
开关能量 40µJ (on), 136µJ (off)
栅极电荷 15.2 nC
导通/关断时间 (Td) @ 25°C 12ns/86ns
反向恢复时间 133 ns

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